磁控濺射技術自誕生以來，得到了較快的發展和較廣的應用，對其他鍍膜方（fāng）法的發展產生了很（hěn）大的影響。通過大量的實踐，浦元真空總結出這（zhè）種技術的優缺點，如下文所示。

　　優點：
　　1.沉積（jī）速率高，襯底溫升低，對薄膜損傷小；
　　2.對於（yú）大多數材料，隻要能製造出靶材，就可以實現濺射；
　　3.濺射得到的薄膜與基底（dǐ）結（jié）合（hé）良好；
　　4.濺射得到的薄（báo）膜（mó）純（chún）度較（jiào）高，密（mì）度好，均勻性（xìng）好；
　　5.結果表明，濺射工（gōng）藝具有良好的重複性（xìng），在大麵積襯底上可獲得厚度均勻（yún）的薄膜；
　　6.可以準確控製塗層厚度，通過改變參數來控製薄膜的粒（lì）徑；
　　7.不（bú）同的金屬、合金和氧化物可以混合，同時濺射（shè）在基體上；
　　8.易於工業化。


　　但是磁控濺射也存（cún）在一（yī）些問題
　　1.該（gāi）技術所使（shǐ）用（yòng）的環形磁場迫（pò）使次（cì）級電子圍繞環形（xíng）磁場跳躍。因此，由環形磁場控製的區域是等離子（zǐ）體密度較高的區域。在該技術中，91视频在线（men）可以（yǐ）看到（dào）濺射氣體氬在這一區域發出強烈的（de）淡藍色（sè）光芒（máng），形成光暈。光暈下的（de）靶是離（lí）子轟擊比較（jiào）嚴（yán）重的部分，它會濺出一個（gè）圓形的溝槽。環形磁場是電子（zǐ）運動的軌道，環形輝光和溝槽生動地表現了這一點。靶材的濺（jiàn）射槽一旦穿透（tòu）靶材，整個靶材就會報廢，靶材利用率（lǜ）不高，一般低於40%；
　　2.等離子體不穩定；
　　3.由於基本的磁（cí）通量均不能通過磁性（xìng）靶，所以在靶麵附近不可能產（chǎn）生外加磁（cí）場。

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