電（diàn）子（zǐ）在電場（chǎng）的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子在電場（chǎng）的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材（cái）原子,呈中性的靶（bǎ）原子（或分子）沉積在基片上成膜.二（èr）次電子在加速飛向基片的（de）過程中（zhōng）受到磁場洛侖磁力的影（yǐng）響,被束縛在*近靶麵（miàn）的等離（lí）子體區域內,該區域（yù）內等離子體密（mì）度很高,二次電子在磁場的作（zuò）用下（xià）圍（wéi）繞靶麵（miàn）作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動（dòng）過程中不斷的（de）與氬原（yuán）子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶（bǎ）材,最終沉積在基片上.

        磁控濺（jiàn）射就是以磁場束縛和延長電子的運（yùn）動路徑,改變電子的運動（dòng）方向,提高工作氣體的電離率和有效利用（yòng）電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是基片,真空室（shì）內（nèi）壁及靶源陽極也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽極在同一電勢.磁場與電場的交互作用（yòng）（E X B shift）使單個電（diàn）子軌（guǐ）跡呈三維螺旋狀,而（ér）不是僅僅（jǐn）在靶麵圓周運動.至於靶麵圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀.磁力線（xiàn）分布方向不同會對成膜有（yǒu）很大關係.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射（shè）,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原（yuán）理下工作.所（suǒ）不同的是電場方向,電壓電（diàn）流大小（xiǎo）而已.