直流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級濺射的（de）基礎上，在靶材後麵安（ān）防磁鋼（gāng）。可以用來濺射（shè）沉積導電膜（mó），而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣（yuán）體的話，將會迅速造成（chéng）靶材表麵（miàn）電荷積累，從（cóng）而導（dǎo）致（zhì）濺射無法（fǎ）進（jìn）行。所以對於純金屬靶材的濺射，均采（cǎi）用（yòng）直流磁控濺（jiàn）射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用來進（jìn）行反（fǎn）應濺射，如金屬氧化物、碳化物（wù）等（děng），將少許反應性氣（qì）體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起於基材上沉積。

對於一些不易（yì）找到的塊（kuài）材料（liào）製成靶（bǎ）材的鍍膜或陶瓷靶（bǎ）材在（zài）濺鍍後，薄膜成分易偏離原靶材成分，也可通過反應沉（chén）積來獲得改善。